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分享 333彩票平台STT-MRAM万能存储器芯片
ramsun 2020-2-20 15:47
传统存储器的技术局限以及不断缩小的制造尺寸所带来的巨大挑战促使科研人员开始寻找新一代存储器件,它应具有接近静态存储器的纳秒级读写速度,具有动态存储器甚至闪存级别的集成密度和类似Flash的非易失性存储特性。 “万能存储器”概念作为新一代存储器的要求被提出来。自旋转移矩—磁随机存储器器件(Spin T ...
个人分类: everspin非易失性MRAN|32 次阅读|0 个评论
分享 everspin最新1Gb容量扩大MRAM吸引力
ramsun 2020-2-19 15:01
everspin 提供了8/16-bit的DDR4-1333MT/s(667MHz)接口,但与较旧的基于DDR3的MRAM组件一样,时序上的差异使得其难以成为DRAM(动态随机存取器)的直接替代品。 最新的1Gb容量STT-MRAM扩大了MRAM的吸引力,但Everspin仍需努力追赶DRAM的存储密度。 低容量的特性,使得MRAM组件更适用于嵌入式系统,其中SoC和ASIC ...
个人分类: everspin非易失性MRAN|40 次阅读|0 个评论
分享 Eversipn STT-MRAM的MJT细胞
ramsun 2020-2-4 14:28
业界一直在寻求取代SRAM。其中之一包括自旋转移力矩MRAM(STT-MRAM)。新的存储器带来了一些大胆的主张。例如STT-MRAM具有SRAM的速度和闪存的无波动性,具有无限的耐用性。 图1.STT-MRAM的MJT细胞 Everspin已经为SSD提供SST-MRAM设备。此外一些芯片制造商正专注于嵌入式 STT-MRAM ,它分为两个 ...
个人分类: everspin非易失性MRAN|63 次阅读|0 个评论
分享 333彩票平台三星正在改善1Gb MRAM寿命问题
ramsun 2020-1-21 16:09
据报道三星已经成功研发出有望替代嵌入式闪存存储器(eFlash)的嵌入式磁阻随机访问内存(eMRAM),容量为1Gb,测试芯片的优良率已达90%。 随着5G物联网时代的来临,存储器领域发展快速,而在这一领域,韩系厂商拥有着比较明显的优势。 MRAM 芯片是一种以电阻为存储方式结合非易失性及随机访问两种特性,可以兼做内 ...
个人分类: everspin非易失性MRAN|113 次阅读|0 个评论
分享 Xilinx FPGA控制器的Everspin STT-DDR4设计指南
ramsun 2020-1-21 16:04
自旋转移扭矩磁阻随机存取存储器( STT-MRAM )是一种持久性存储技术,可利用各种工业标准接口提供性能,持久性和耐用性。 Everspin推出了STT-MRAM产品,该产品利用称为JE-DDR4的JEDEC标准DDR4接口的变体,它包含了对完整系统支持所需的独特功能。本文将帮助工程师了解Xilinx FPGA控制器的Everspin STT-DDR4设计指南 & ...
个人分类: 333彩票平台everspin非易失性MRAN|125 次阅读|0 个评论
分享 Everspin串口串行mram演示软件分析
ramsun 2020-1-19 16:10
divEverspin在磁存储器设计,制造和交付给相关应用方面的知识和经验在半导体行业中是独一无二的。在平面内和垂直磁隧道结(MTJ)STT-MRAM位单元的开发方面处于市场领先地位。包括40nm,28nm及更高工艺在内的先进技术节点上进行了全包交钥匙的300mm大批量平面内和垂直MTJ ST-MRAM生产。生产基于180nm,130nm和90nm工艺技术 ...
个人分类: everspin非易失性MRAN|128 次阅读|0 个评论
分享 MRAM技术进入汽车应用
ramsun 2020-1-14 12:00
在整个地址空间范围内读写各种类型的数据。通常MRAM的操作和时序类似于32位微控制器的规范和时序。与DLFASH相比,当今的非易失性存储器可以接受MRAM设备的性能和吞吐量。 与当今的DFLASH相比,未来的汽车动力总成控制器可能需要更快,更加强大的非易失性和保活内存。在非易失性存储器中使用MRAM可以显着提高时 ...
个人分类: everspin非易失性MRAN|127 次阅读|0 个评论
分享 333彩票平台everspin展示28nm单机1Gb STT-MRAM芯片
ramsun 2020-1-8 15:45
Everspin自成立长期以来一直是MRAM产品开发的领导者,向市场展示了其28nm单机1Gb STT-MRAM芯片。 everspin 在磁存储器设计,制造和交付给相关应用方面的知识和经验在半导体行业中是独一无二的。Everspin拥有超过600项有效专利和申请的知识产权组合,在平面内和垂直磁隧道结(MTJ)STT-MRAM位单元的开发方面处于市场领先 ...
个人分类: everspin非易失性MRAN|115 次阅读|0 个评论
分享 航空航天专用Everspin非易失性MRAM存储器
ramsun 2019-12-26 16:36
TAMU是由瑞典乌普萨拉的Ångström航空航天公司(ÅAC)开发的高级磁力计子系统。TAMU的目的是提供地球磁场的磁力计数据,以便与子画面观测相关。实验性TAMU由使用领先技术制造的四种类型的设备组成:3轴地磁传感器,通过3D封装系统技术制造的MPU芯片,制造的4MbitMRAM(磁性随机存取存储器)芯片由EverspinTe ...
个人分类: 333彩票平台everspin非易失性MRAN|141 次阅读|0 个评论
分享 EVERSPIN非易失性存储器嵌入式技术
ramsun 2019-12-20 16:53
相关研究指出,如果以嵌入式 MRAM 取代微控制器中的eFlash和SRAM,可节省高达90%的功耗;如果采用单一晶体管MRAM取代六个晶体管SRAM,则可实现更高的位元密度和更小的芯片尺寸,这些功率与面积成本优势将使MRAM成为边缘侧设备的有力竞争者。而相较于传统的NAND闪存,PCRAM或ReRAM存储级存储器更可提供超过10倍以上的存取 ...
个人分类: everspin非易失性MRAN|135 次阅读|0 个评论
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