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基于MRAM和NVMe的未来云存储解决方案
ramsun 2020-7-10 14:40
在2019全球闪存峰会上,Everspin作为全球 MRAM 存储芯片龙头分享如何用MRAM这类非易失性存储和NVMe SSD构建未来的云存储的解决方案。 首先STT-MRAM作为异常掉电数据缓存的介质有以下几大优势: 1. 非易失性存储器芯片,比传统的 SRAM 或者DRAM在数据保持方面更强; 2. 芯片容量较大,单颗芯片 ...
个人分类: everspin非易失性MRAN|455 次阅读|0 个评论
MRAM关键工艺步骤
ramsun 2020-3-31 13:55
非易失性MRAM芯片组件通常在半导体晶圆厂的后端工艺生产,下面英尚微电子介绍关于 MRAM 关键工艺步骤包括哪几个方面. (1)底部电极的形成(参考图1):经由传统图案化与镶嵌工艺形成的底部电极层需要抛光至平坦,并为MTJ堆栈沉积提供超光滑的表面。在这个步骤中,测量和控制底部电极的平滑度对组件性能至关重要,必须控制 ...
个人分类: everspin非易失性MRAN|228 次阅读|0 个评论
everspin生态系统和制造工艺创新
ramsun 2020-3-23 14:03
Everspin与GlobalFoundries有着悠久的合作历史,而且十多年来,通过不断改进,对其工厂进行微调优化。能迅速积累并将这些经验传授给GlobalFoundries。Everspin表示会继续发展生态系统,来支持STT市场,并提供简单、快速的上市实施计划,从而让市场采用我们的工艺技术。 everspin 公司在生产嵌入式MRAM领域是行 ...
个人分类: everspin非易失性MRAN|139 次阅读|0 个评论
嵌入式MRAM关键应用与制造商
ramsun 2020-3-20 16:19
STT-MRAM越来越多地被广泛用于嵌入式内存应用之中,STT-MRAM 具有的高存储密度、低能耗、低误率等优势使其有着巨大的优势。以取代闪存、EEPROM和SRAM,有多家逻辑组件IDM /晶圆代工厂正在提供嵌入式STT-MRAM解决方案:其中还包括台积电(TSMC,22nm ULL CMOS)、三星(Samsung,28nm FD-SOI)、GLOBALFOUNDRIES (22nm FD-SOI) ...
个人分类: everspin非易失性MRAN|145 次阅读|0 个评论
MRAM与FRAM技术比较
ramsun 2020-3-10 15:31
MRAM技术 MRAM或磁性随机存取存储器使用1晶体管–1磁性隧道结(1T-1MTJ)架构,其中铁磁材料的磁性“状态”作为数据存储元素。由于MRAM使用磁性状态进行存储(而不是随时间推移而“泄漏”的电荷),因此 MRAM 可以提供非常长的数据保留时间(+20年)和无限的耐用性。切换磁极化(WriteCycle)是在电磁隧道结(MT ...
个人分类: everspin非易失性MRAN|166 次阅读|0 个评论
小米入股灵动微电子加速芯片领域布局
ramsun 2020-3-6 16:02
近日天眼查数据显示,上海灵动微电子股份有限公司的工商发生了变更,注册资本由原来的4728万人民币,新增至人民币5668万,增幅接近20%。新增董事为王晓波。公开资料显示王晓波是小米产业基金管理合伙人。 这次的主角为何会是 灵动微电子 ?灵动微电子成立于公元2011年,作为一家立足本土、展望世界的MCU芯片 ...
个人分类: everspin非易失性MRAN|135 次阅读|0 个评论
STT-MRAM万能存储器芯片
ramsun 2020-2-20 15:47
传统存储器的技术局限以及不断缩小的制造尺寸所带来的巨大挑战促使科研人员开始寻找新一代存储器件,它应具有接近静态存储器的纳秒级读写速度,具有动态存储器甚至闪存级别的集成密度和类似Flash的非易失性存储特性。 “万能存储器”概念作为新一代存储器的要求被提出来。自旋转移矩—磁随机存储器器件(Spin T ...
个人分类: everspin非易失性MRAN|206 次阅读|0 个评论
everspin最新1Gb容量扩大MRAM吸引力
ramsun 2020-2-19 15:01
everspin 提供了8/16-bit的DDR4-1333MT/s(667MHz)接口,但与较旧的基于DDR3的MRAM组件一样,时序上的差异使得其难以成为DRAM(动态随机存取器)的直接替代品。 最新的1Gb容量STT-MRAM扩大了MRAM的吸引力,但Everspin仍需努力追赶DRAM的存储密度。 低容量的特性,使得MRAM组件更适用于嵌入式系统,其中SoC和ASIC ...
个人分类: everspin非易失性MRAN|145 次阅读|0 个评论
Eversipn STT-MRAM的MJT细胞
ramsun 2020-2-4 14:28
业界一直在寻求取代SRAM。其中之一包括自旋转移力矩MRAM(STT-MRAM)。新的存储器带来了一些大胆的主张。例如STT-MRAM具有SRAM的速度和闪存的无波动性,具有无限的耐用性。 图1.STT-MRAM的MJT细胞 Everspin已经为SSD提供SST-MRAM设备。此外一些芯片制造商正专注于嵌入式 STT-MRAM ,它分为两个 ...
个人分类: everspin非易失性MRAN|185 次阅读|0 个评论
三星正在改善1Gb MRAM寿命问题
ramsun 2020-1-21 16:09
据报道三星已经成功研发出有望替代嵌入式闪存存储器(eFlash)的嵌入式磁阻随机访问内存(eMRAM),容量为1Gb,测试芯片的优良率已达90%。 随着5G物联网时代的来临,存储器领域发展快速,而在这一领域,韩系厂商拥有着比较明显的优势。 MRAM 芯片是一种以电阻为存储方式结合非易失性及随机访问两种特性,可以兼做内 ...
个人分类: everspin非易失性MRAN|223 次阅读|0 个评论
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