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日志

亚0.25um工艺流程(018um,013um)

已有 572 次阅读2019-12-23 11:00 |个人分类:technology|系统分类:芯片设计

参考:半导体制造技术
(1)双阱工艺(2)浅槽隔离(STI)(3)栅结构(4)轻掺杂漏(LDD)注入(5)侧墙(6)源/漏(S/D)注入(7)接触孔(8)局部互联工艺
(1)双阱工艺
亚0.25um工艺通常采用双阱工艺(也称双管)来定义晶体管的有源区。双阱指的是N阱和P阱,每种阱至少包括3-5个步骤完成,通常采用倒掺杂技术(高能量,大剂量的注入,深入外延层大概1um),随后阱注入在相同区域进行,只是注入能量,结深,掺杂计量都减小,阱注入决定了晶体管的阈值工作电压,同时避免了闩锁效应等问题。
(2)浅槽隔离(STI)
浅槽隔离包括:槽刻蚀,衬垫氧化硅生长,沟槽氧化硅填充
(3)栅结构
包括:栅氧+多晶硅栅
(4)轻掺杂漏(LDD)注入
由于栅的宽度不断缩小,沟道不断减小,晶体管中公道长度的减小增加了源漏间电荷穿透的可能性,引起漏电,所以用这种技术减小漏电的发生
(5)侧墙
侧墙用来环绕多晶硅栅,防止后续工艺大剂量的源/漏(S/D)注入过于接近沟道而导致源漏串通
(6)源/漏(S/D)注入
为了形成倒参杂,源/漏(S/D)注入深度超过LDD,浅于双阱的结深
(7)接触孔
钛是作为接触孔的立项材料,电阻低,同时能够与硅发生充分反应,当温度大于700℃,钛和硅生成钛的硅化物(TiSi₂),钛和二氧化硅不发生反应,因此钛可以轻易的从二氧化硅表面去除
(8)局部互联工艺(LI)
首先需要淀积一层介质薄膜,接下来是化学机械抛光,刻印,刻蚀和钨金属淀积,最后一金属层抛光结束,这种工艺也成为大马士革(danascene)。

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